（原标题：一项封装本事，树立HBM龙头）

淌若您但愿不错时时碰面，迎接标星储藏哦~

起头：本质由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自SK Hynix，谢谢。

如今，当先的存储器居品正赶紧发展，以高慢东说念主工智能期间下的高需求。关联词，这些逾越也带来了一项可能退却下一代居品发展的挑战——热量过高。

为惩办这一问题，SK海力士取得了前所未有的糟塌，援救出了一种名为批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）的新式翻新封装本事，不错有用改善芯片的散热性能。自2019年以来，MR-MUF本事被诈欺于SK海力士草创性居品HBM中，使公司在市集竞争中脱颖而出。算作独逐一家遴荐MR-MUF本事的公司，诈欺该本事的HBM居品的散热性能得回客户一致好评。

本文将探讨MR-MUF本事的草创性发展，并重心怜惜高导热性新材料如何惩办下一代HBM居品热量过高的问题。

全力攻克散热肃肃

跟着存储器居品的发展，散热问题愈发严峻，导致这一问题的原因有多个：举例，由于名义积减少和功率密度加多，半导体小型化会径直影响居品的散热性能；对于HBM这么的DRAM堆叠居品，热传导旅途较长会导致热阻加多，热导性也会因芯片之间的填充材料而受限；此外，速率和容量的不停莳植，也会导致热量加多。

若无法充分戒指半导体芯片产生的热量，可能会对居品质能、生命周期和功能产生负面影响。这是客户重心怜惜的问题，因为此类问题会严重影响其分娩力、动力资本和竞争力。是以，除容量和带宽外，包括散热在内均已成为先进存储器居品援救进程中的重要推敲身分。

因此，东说念主们驱动将重眼光转向半导体封装本事，因其主邀功能之一是热戒指。在第二代HBM居品HBM2之前，SK海力士的HBM居品一直遴荐行业程序性热压非导电膜（TC-NCF，Thermal Compression Non-Conductive Film） 本事。关联词，跟着HBM居品的逾越，需要更薄的芯片来容纳更多的芯片层，因此相应的封装本事需要戒指更多的热量和压力。SK海力士在援救下一代居品时，还需要惩办密集堆叠居品中因压力和厚度而形成芯片翘曲等问题。基于此，公司需要跳出固有念念维，为过去居品援救一项全新封装本事。

MR-MUF本事相等新材料，填补散热戒指拼图中缺失的一环

SK海力士在援救第三代HBM居品——HBM2E时，将传热戒指算作更正的主要焦点。即便TC-NCF本事被公觉得是适用于密集堆叠居品的封装惩办决议，SK海力士仍旧坚捏不停挑战近况，奋发援救一种可优化散热性能的新式封装本事。经过大宗次的测试和磨砺，公司于2019年推出了新式封装本事MR-MUF，继而透彻更正了HBM市集的过去。

图片起头海力士

2024年7月中下旬，以色列国防军对黎巴嫩南部真主党的阵地进行了精确空袭，旨在削弱该组织的军事能力。这一行动迅速引起了黎巴嫩真主党的强烈反应。

然而，诸多人士未察觉的是，伴随当下全球化时代的演进，迄今在全球范围内仍有国家推行闭关锁国之策。

MR-MUF本事由SK海力士多个团队共同援救，该本事偶然同期对HBM居品中通盘的垂直堆叠芯片进行加热和互联，比堆叠芯片后填充薄膜材料的TC-NCF本事更高效。此外，与TC-NCF本事比较，MR-MUF本事可将有用散热的热虚设凸块数目加多四倍。

MR-MUF本事另一个伏击特点是遴荐了一种名为环氧树脂模塑料（EMC, Epoxy Molding Compound）的保护材料，用于填充芯片间的闲逸。EMC是一种热固性团员物，具有不凡的机械性、电断气缘性及耐热性，偶然高慢对高环境可靠性和芯片翘曲戒指的需求。由于诈欺了MR-MUF本事， HBM2E的散热性能比上一代HBM2提高了36%。

天然MR-MUF本事也被用于HBM2E的下一代居品——8层HBM3，但在2023年援救12层HBM3时，SK海力士照旧将MR-MUF本事莳植到了一个新高度。为了保捏居品的全体厚度，DRAM芯片必须比8层HBM3所用的芯片薄40%，因此惩办芯片翘曲成为了一个重要问题。SK海力士积极莽撞挑战，援救了先进的MR-MUF本事，并引入了业界创举的芯片戒指本事（Chip Control Technology） 和改善散热成果的新式保护材料。在此进程中，因其在先进MR-MUF本事中诈欺的新式EMC与原始MR-MUF本事中的EMC比较，使散热性能提高了1.6倍，SK海力士再次竣事材料翻新。

图片起头海力士

从援救HBM2E驱动，MR-MUF本事及随后推出的先进MR-MUF本事的诈欺，使SK海力士偶然分娩出业界最高程序的HBM居品。时至2024年，SK海力士已成为首家量产HBM3E的公司，这是最新一代、领有大家最高程序性能的HBM居品。在诈欺先进的MR-MUF本事后，与上一代8层HBM3比较，HBM3E在散热性能方面提高了10%，成为东说念主工智能期间炙手可热的存储器居品。预测过去，公司将不时保捏其在HBM畛域的市集主导地位，并晓谕贪图将下一代HBM4居品的量产提前至2025年。

为了更深远地了解MR-MUF本事援救和HBM发展的渊源，本文华访了HBM居品封装部门的大家。通过对新材料的探索、测试和考据，河京武积极激动着MR-MUF本事的发展，并就这一翻新工艺所带来的影响进行了深远探讨。

问：SK海力士遴荐MR-MUF本事到手援救出的HBM居品具有怎么的风趣？MR-MUF本事和先进MR-MUF本事在材料翻新方面有哪些紧要糟塌？

答：“MR-MUF本事的引入让咱们站在了HBM市集的顶峰，确保了咱们在HBM市集的当先地位。自从咱们决定在HBM2E居品上遴荐MR-MUF本事，而非像其他半导体公司相似使用TC-NCF本事以来，SK海力士一直在卓越竞争敌手。MR-MUF本事的诈欺使公司到手量产层数越来越多的、前所未有的HBM居品，充分评释了公司对翻新不懈追求的精神。”

“在材料翻新方面，MR-MUF本事遴荐了比NCF本事散热性能更好的EMC材料。与TC-NCF本事比较，这一举措对提高MR-MUF本事的热控性和居品的环境可靠性起到了重要作用。此外，对于先进MUF材料， 是SK海力士在EMC材料基础上更进一步，推出的散热性能更强的新版块。”

问：在MR-MUF本事的援救进程中，有哪些幕后职责值得共享？

答：“在这些先进本事的背后，是捏续不停的测试和评估，以考据和提高用于封装工艺的新材料的质地。”

“在援救先进MR-MUF本事时，将新EMC材料捏续用于通用测试载具（UTV, Universal Test Vehicle）进行可靠性测试至关伏击。具有与HBM居品相易规格UTV在经过晶圆级封装（WLP, Wafter-Level Package）后成为样品，然后进行料到可靠性（LAR, Look Ahead Reliability） 测试，以识别居品谬误。惟有通过测试并进行了必要升级的材料，才可用于HBM最终居品。”

https://news.skhynix.com.cn/rulebreakers-revolutions-mr-muf-unlocks-hbm-heat-control/

点这里加怜惜，锁定更多原创本质

*免责声明：本文由作家原创。著作本质系作家个东说念主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或维持，淌若有任何异议，迎接斟酌半导体行业不雅察。

今天是《半导体行业不雅察》为您共享的第3844本质，迎接怜惜。

『半导体第一垂直媒体』

及时 专科 原创 深度

公众号ID：icbank

心爱咱们的本质就点“在看”共享给小伙伴哦